במהלך כנס SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, חשפו ענקית השבבים אינטל Foundry ויצרנית ציוד הליתוגרפיה ASML עדכונים משמעותיים על התקדמות שילובה של טכנולוגיית הליתוגרפיה High-NA EUV (EUV בעלת פתח מספרי גבוה) בתהליכי הייצור התעשייתיים.
מעל מיליון ופרים ומבחן הביצועים ב-Intel 18A
על פי הודעה לעיתונות שהוציאו שתי החברות, אינטל Foundry עיבדה עד כה למעלה ממיליון ופרים (wafers) באמצעות מערכות High-NA EUV. נפח ייצור זה בוצע במסגרת תהליכי אישור כלים (tool qualification), מחקר ופיתוח, וכן ייצור בהיקף נרחב (High-Volume Manufacturing) על גבי שכבות נבחרות עבור מעבדי Intel Core Ultra Series 3 (שנודעו במקור בשם הקוד Panther Lake).
על פי נתוני החברות, מדדי התפעול הקריטיים:
רמת הכיסוי (Overlay)
תפוקת העבודה (Throughput)
זמינות המערכות
עומדים כולם באופן מלא בציפיות שהגדירה אינטל Foundry.
בנוסף, מוצרים המיוצרים בתהליך Intel 18A תוך שימוש ב-High-NA EUV בשכבות נבחרות מספקים רמת ביצועים העומדת בסטנדרטים של שכבות מקבילות שנוצרו בפלטפורמת ה-NXE (המבוססת על EUV בתקן 0.33 NA).
מנהיגות בתעשייה ומפת דרכים למסכות ייצור
כריסטוף פוקה (Christophe Fouquet), נשיא ומנכ"ל ASML, ציין בכנס את תפקידה החלוצי של אינטל Foundry באימוץ טכנולוגיית ה-High-NA. פוקה התייחס להתקנת מערכת ה-EXE המסחרית הראשונה בשנת 2024 ולמשלוח מה שהוגדר על ידי ASML כמוצר הלוגיקה הראשון בתעשייה המיוצר בהיקף נרחב באמצעות טכנולוגיה זו.
נאגה צ’נדרסקאראן (Naga Chandrasekaran), סגן נשיא בכיר ומנהל כללי משותף של אינטל Foundry, פירט את היעדים הקרובים של החברה בהטמעת הציוד:
תיקוף מסכות 6 אינץ': התמקדות נוכחית באישור טכנולוגיית High-NA על גבי מסכות בגודל standard 6 אינץ', עם או בלי תפירה (stitching).
מעבר למסכות מורחבות: תכנון והיערכות למעבר עתידי לשימוש במסכות מוגדלות בגודל 6x12 אינץ'.
טכניקת Reticle Stitching: גמישות עיצובית לתשתיות קיימות
במהלך הכנס הציגו שתי החברות עדכונים טכניים נוספים בנושא תפירת רטיקל (reticle stitching). טכניקה זו מאפשרת למהנדסים ולמעצבי שבבים לנצל את יתרונות הליתוגרפיה המתקדמת של High-NA EUV תוך המשך שימוש במסכות סטנדרטיות קיימות בגודל 6 אינץ', ובכך ליהנות מדיוק מוגבר ללא צורך בהחלפה מקיפה ויידית של כלל תשתית המסכות במפעל.