ענקית הזיכרון הדרום-קוריאנית SK Hynix בוחנת מהלך אסטרטגי לצמצום התלות בטייוואן סמיקונדקטור (TSMC), במסגרתו תשקול להעביר חלק מייצור רכיבי הבסיס (Base Dies) עבור זיכרונות ה-HBM4E מהדור הבא לזרוע הייצור של אינטל (Intel Foundry). כך מדווח העיתון הדרום-קוריאני Herald Economy, בהסתמך על גורמים בתעשייה.
הלחץ הכלכלי: עלויות הייצור של TSMC נסקו
התמריץ המרכזי שמוביל את SK Hynix לבחון ספק נוסף הוא הגידול החד בעלויות הייצור. כיום, עבור רכיב הבסיס של זיכרונות ה-HBM4, עושה החברה שימוש בתהליך בטכנולוגיית 12 ננומטר של TSMC. הערכות בתעשייה מצביעות על כך שעלות ייצור רכיב הבסיס ב-TSMC גבוהה פי 3 עד 4 מעלות שבב ה-DRAM הליבתי עצמו.
מאחר שחלק ניכר מהתקשרויות ה-HBM נעשות במסגרת חוזים ארוכי טווח, ל-SK Hynix אפשרויות מוגבלות לגלגל את עלויות הבית-יציקה הגבוהות ישירות ללקוחותיה. צעד של עבודה מול שני ספקים במקביל (Multi-sourcing) יעניק לחברה מינוף אסטרטגי במו"מ על המחירים ויבטיח את רציפות האספקה.
התפקיד הקריטי של רכיב הבסיס
רכיב הבסיס הוא שכבת הלוגיקה התחתונה במחסנית ה-HBM, המנהלת את התקשורת והממשקים מול מעבדים חיצוניים כגון GPU ו-CPU. ככל שעיצובי ה-HBM הופכים למורכבים ומתקדמים יותר, החשיבות של רכיב זה גדלה – מה שהוביל את החברה לעבור מייצור עצמי לייצור חיצוני בבתי יציקה מתקדמים.
בנוסף לייצור השבבים עצמם, SK Hynix בוחנת שילוב של טכנולוגיות אריזה מתקדמות מאינטל, כגון EMIB, לצד טכנולוגיות ה-CoWoS (בגרסאות S ו-L) של TSMC.
זיכרון ה-HBM4E נחשב לדור השביעי של זיכרונות ה-HBM מבית SK Hynix. החברה כבר החלה בחודשים האחרונים לחלק דוגמאות ראשוניות של הרכיב בתצורה של 12 שכבות ללקוחות מפתח. המוצר מיועד להציע קצב העברת נתונים של עד 16Gbps ושיפור של מעל 20% ביעילות האנרגטית בהשוואה לדורות הקודמים.
בשלב זה, המגעים מול אינטל מוגדרים כשלבי בחינה ראשוניים בלבד וטרם נחתם הסכם מחייב. עם זאת, עצם נכונותה של SK Hynix לבחון אלטרנטיבה ל-TSMC מסמנת שינוי מגמה אפשרי במאזן הכוחות של שוק שבבי ה-AI.